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文章詳情
淺談微電子技術(shù)的發(fā)展歷史
日期:2024-07-13 05:24
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摘要:1947年晶體管的發(fā)明;到1958年前后已研究成功一這種組件為基礎的混合組件;
1958年美國的杰克.基爾比發(fā)明了**個(gè)鍺集成電路。1960年3月基爾比所在的德州儀器公司宣布了**個(gè)集成電路產(chǎn)品,即多諧振蕩器的誕生,它可用作二進(jìn)制計數器、移位寄存器。它包括2個(gè)晶體管、4個(gè)二極管、6個(gè)電阻和4個(gè)電容,封裝在0.25英寸*0.12英寸的管殼內,厚度為0.03英寸。這一發(fā)明具有劃時(shí)代的意義,它掀開(kāi)了半導體科學(xué)與技術(shù)史上全新的篇章。
1960年宣布發(fā)明了能實(shí)際應用的金屬氧化物—半導體場(chǎng)效應晶體管(metal-oxide-semiconductor field effect tran...
1947年晶體管的發(fā)明;到1958年前后已研究成功一這種組件為基礎的混合組件;
1958年美國的杰克.基爾比發(fā)明了**個(gè)鍺集成電路。1960年3月基爾比所在的德州儀器公司宣布了**個(gè)集成電路產(chǎn)品,即多諧振蕩器的誕生,它可用作二進(jìn)制計數器、移位寄存器。它包括2個(gè)晶體管、4個(gè)二極管、6個(gè)電阻和4個(gè)電容,封裝在0.25英寸*0.12英寸的管殼內,厚度為0.03英寸。這一發(fā)明具有劃時(shí)代的意義,它掀開(kāi)了半導體科學(xué)與技術(shù)史上全新的篇章。
1960年宣布發(fā)明了能實(shí)際應用的金屬氧化物—半導體場(chǎng)效應晶體管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)。
1962年生產(chǎn)出晶體管——晶體管邏輯電路和發(fā)射極耦合邏輯電路;由于MOS電路在高度集成和功耗方面的優(yōu)點(diǎn),70年代,微電子技術(shù)進(jìn)入了MOS電路時(shí)代;隨著(zhù)集成密度日益提高,集成電路正向集成系統發(fā)展,電路的設計也日益復雜、費事和昂貴。實(shí)際上如果沒(méi)有計算機的輔助,較復雜的大規模集成電路的設計是不可能的。
以上知識您知道了嗎?
1958年美國的杰克.基爾比發(fā)明了**個(gè)鍺集成電路。1960年3月基爾比所在的德州儀器公司宣布了**個(gè)集成電路產(chǎn)品,即多諧振蕩器的誕生,它可用作二進(jìn)制計數器、移位寄存器。它包括2個(gè)晶體管、4個(gè)二極管、6個(gè)電阻和4個(gè)電容,封裝在0.25英寸*0.12英寸的管殼內,厚度為0.03英寸。這一發(fā)明具有劃時(shí)代的意義,它掀開(kāi)了半導體科學(xué)與技術(shù)史上全新的篇章。
1960年宣布發(fā)明了能實(shí)際應用的金屬氧化物—半導體場(chǎng)效應晶體管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)。
1962年生產(chǎn)出晶體管——晶體管邏輯電路和發(fā)射極耦合邏輯電路;由于MOS電路在高度集成和功耗方面的優(yōu)點(diǎn),70年代,微電子技術(shù)進(jìn)入了MOS電路時(shí)代;隨著(zhù)集成密度日益提高,集成電路正向集成系統發(fā)展,電路的設計也日益復雜、費事和昂貴。實(shí)際上如果沒(méi)有計算機的輔助,較復雜的大規模集成電路的設計是不可能的。
以上知識您知道了嗎?